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माइक्रॉन 6550 आईओएन एसएसडीः एक ड्राइव में जेन 5 प्रदर्शन, ऊर्जा दक्षता और उच्च क्षमता

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चीन Beijing Qianxing Jietong Technology Co., Ltd. प्रमाणपत्र
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माइक्रॉन 6550 आईओएन एसएसडीः एक ड्राइव में जेन 5 प्रदर्शन, ऊर्जा दक्षता और उच्च क्षमता

March 13, 2026
आज, माइक्रोन ने अपना नया 6550 आईओएन एसएसडी लॉन्च किया, जो इसे दुनिया के सबसे तेज़, सबसे ऊर्जा कुशल 60 टीबी डेटा सेंटर एसएसडी के रूप में तैनात करता है।S ड्राइव केवल 7.5 मिमी z-ऊंचाई में, यह एक Gen5 इंटरफ़ेस के साथ जोड़े गए G8 61.44TB TLC NAND के माध्यम से उद्योग-अग्रणी क्षमता प्रदान करता है। यह संयोजन महत्वपूर्ण उद्यम चुनौतियों को संबोधित करता है जिनके लिए अत्यधिक घने,लागत प्रभावी, और हाई स्पीड एसएसडी स्टोरेज।
 
के बारे में नवीनतम कंपनी का मामला माइक्रॉन 6550 आईओएन एसएसडीः एक ड्राइव में जेन 5 प्रदर्शन, ऊर्जा दक्षता और उच्च क्षमता 0
 
माइक्रोन 6550 आईओएन अपने पूर्ववर्ती 6500 आईओएन की तुलना में प्रदर्शन और क्षमता में काफी सुधार करता है।यह PCIe Gen5 मानकों का अनुपालन करता है और OCP 2 के माध्यम से भविष्य के सबूत क्षमताओं को शामिल करता है.5माइक्रोन ने 6550 आईओएन के लिए सुरक्षा पर जोर दिया है, यह सुनिश्चित किया है कि यह टीएए और एफआईपीएस 140-3 एल 2 प्रमाणित है और एक व्यापक सुरक्षा सूट से लैस है।
 
TLC आधारित Micron 6550 ION की रिलीज़ से पहले, निर्माता 61.44TB क्षमता के निशान तक पहुंचने के लिए QLC NAND पर निर्भर थे। इसके नए Gen5 इंटरफ़ेस से परे,G8 TLC NAND बेहतर लेखन प्रदर्शन प्रदान करता है, ऊर्जा दक्षता, और QLC NAND की तुलना में धीरज।ड्राइव केवल 20W की अधिकतम खपत करते हुए 12GB/s की अनुक्रमिक पढ़ने की गति और 5GB/s की अनुक्रमिक लिखने की गति प्राप्त करता हैइन आंकड़ों का अनुवाद प्रतिस्पर्धी मॉडलों की तुलना में 179% तक बेहतर रीड थ्रूपुट और 150% तक बेहतर लेखन थ्रूपुट में होता है।44 टीबी माइक्रोन 6550 आईओएन में केवल 3 की भरने की दर हैइसके अतिरिक्त, ड्राइव प्रभावशाली थ्रूपुट क्षमताओं का प्रदर्शन करता है, 4K यादृच्छिक रीडिंग में 1.6M IOPS को वर्तमान प्रतिस्पर्धियों की तुलना में 80% तक तेजी से मारता है।
 
जबकि हमारा प्राथमिक उत्साह E3.S फॉर्म फैक्टर के घनत्व लाभ पर केंद्रित है, यह ध्यान देने योग्य है कि Micron 6550 ION को E1.L और U.2 फॉर्म फैक्टर में भी प्रदान करता है।यह विभिन्न प्लेटफार्मों के लिए समर्थन प्रदान करता है।, उत्पाद परिवार में सुविधा सेट या प्रदर्शन क्षमताओं पर कोई समझौता नहीं।
 
जन 5: उच्च क्षमता वाले एनवीएमई एसएसडी के लिए पहली बार
 
Micron 6550 ION SSD परिवार के पास बहुत कुछ है, शायद इसका सबसे महत्वपूर्ण अंतर यह है कि यह बाजार में प्रवेश करने के लिए उच्चतम क्षमता वाला Gen5 ड्राइव है।पीसीआईई जेन 5 पीसीआईई जेन 4 की तुलना में काफी सुधार करता है, मुख्य रूप से बैंडविड्थ, डेटा ट्रांसफर गति और ऊर्जा दक्षता के संदर्भ में प्रमुख सुधार जो आधुनिक डेटा-गहन अनुप्रयोगों की बढ़ती मांगों को पूरा करते हैं।
 
कुल मिलाकर, पीसीआईई जेन 5 जेन 4 की तुलना में प्रदर्शन, गति, दक्षता और स्केलेबिलिटी में उल्लेखनीय लाभ प्रदान करता है। It is ideally suited for advanced data center needs and high-performance computing environments where rapid data throughput and low latency are essential—particularly for the majority of read-heavy workloadsपहली उच्च क्षमता वाली PCIe Gen5 ड्राइव के रूप में, Micron 6550 ION को अभी भी PCIe Gen4 पर चलने वाले प्रतिस्पर्धी मॉडलों पर एक महत्वपूर्ण लाभ है।
 
ऊर्जा कुशल
 
ऊर्जा दक्षता डेटा केंद्रों में एसएसडी के मूल्य में एक महत्वपूर्ण कारक है, और माइक्रॉन 6550 आईओएन प्रभावशाली परिणाम प्रदान करता है। एसएसडी कम बिजली का उपभोग करते हैं और कम गर्मी उत्पन्न करते हैं,ऊर्जा उपयोग और शीतलन आवश्यकताओं में कमी में योगदानयह महत्वपूर्ण लागत बचत और एक छोटे कार्बन पदचिह्न के लिए अनुवाद करता है, संगठनात्मक स्थिरता लक्ष्यों के साथ संरेखित। 60TB ड्राइव के लिए सर्वश्रेष्ठ-इन-क्लास ऊर्जा दक्षता का दावा करते हुए,Micron 6550 ION प्रतिस्पर्धियों की तुलना में 20% कम बिजली का उपयोग करता है जबकि काफी अधिक प्रदर्शन प्रदान करता है.
 
एनवीएमई ड्राइव कई परिचालन शक्ति राज्यों का समर्थन करते हैं जो प्रदर्शन और बिजली की खपत को संतुलित करते हैं। माइक्रोन ने पावर स्टेट 1 (PS1) पर सभी परीक्षण किए,जो अधिकतम 25W के बजाय ड्राइव को 20W तक सीमित करता हैड्राइव एल1 एएसपीएम (एक्टिव स्टेट पावर मैनेजमेंट) का भी समर्थन करते हैं, जिससे बेकार बिजली की खपत में और कमी आती है।
 
माइक्रॉन 6550 आईओएन के पावर/परफॉर्मेंस बेंचमार्क उल्लेखनीय हैं। ड्राइव 600 एमबी/सेकंड/डब्ल्यू तक के अनुक्रमिक रीड्स और 250 एमबी/सेकंड/डब्ल्यू के अनुक्रमिक लेखन को 179% तक बेहतर प्रदान करता है।प्रतियोगिता से 213% अधिकयादृच्छिक रीड्स (80K IOPS/W) और लिखता है (3.5K IOPS/W) समान रूप से प्रभावशाली हैं, प्रतिस्पर्धियों के साथ क्रमशः 99% और 141% तक पीछे हैं।
 
एसएसडी की ऊर्जा दक्षता को बढ़ाकर डाटा सेंटर परिचालन लागतों को अनुकूलित करते हुए उच्च प्रदर्शन बनाए रख सकते हैं।
 
माइक्रोन 6550 आईओएन एसएसडी ड्राइव डिजाइन
 
Micron 6550 ION SSD पहला 61.44TB E3.S-1T SSD है, जो U.2 61.44TB SSD की तुलना में प्रति रैक 67% अधिक डेटा संग्रहीत करता है। पतला 7.5mm E3.वर्तमान उच्च क्षमता वाले उद्यम एसएसडी के लिए एस-1टी मोटाई मुश्किल रही है.L या U.2 फॉर्म फैक्टर, जो NAND चिप्स और अन्य घटकों के लिए अधिक आंतरिक सतह क्षेत्र प्रदान करते हैं। कुछ प्रतिस्पर्धी ड्राइव आंतरिक रूप से जुड़े एक जुड़वां पीसीबी लेआउट के साथ 15 मिमी U.2 फॉर्म फैक्टर का उपयोग करते हैं,एक एकल सर्किट बोर्ड के सतह क्षेत्रफल का दोगुना प्रदान करनाजब अतिरिक्त मोटाई उपलब्ध होती थी तब यह दृष्टिकोण काम करता था लेकिन इसे पतले एसएसडी आकारों के लिए अनुकूलित नहीं किया जा सकता था।
 
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E3.S फॉर्म फैक्टर में अधिक घनत्व प्राप्त करने में कठिनाई कुछ प्रमुख चुनौतियों के लिए नीचे आती हैः

  • भौतिक स्थान की सीमाएँ: पारंपरिक 2.5-इंच ड्राइव की तुलना में बेहतर वायु प्रवाह और थर्मल प्रबंधन के लिए E3.S फॉर्म फैक्टर को अनुकूलित किया गया है। E3.S के लिए आंतरिक स्थान सीमित है।यह गर्मी प्रबंधन या प्रदर्शन का त्याग किए बिना अधिक NAND फ्लैश पैकेज और आवश्यक नियंत्रण सर्किट को फिट करना चुनौतीपूर्ण बनाता है.
  • थर्मल प्रबंधन: उच्च घनत्व वाले एसएसडी अधिक गर्मी उत्पन्न करते हैं, जिससे कॉम्पैक्ट फॉर्म फैक्टर में फैलाव मुश्किल हो जाता है। प्रभावी गर्मी फैलाव प्रदर्शन को बनाए रखने और थ्रॉटलिंग से बचने के लिए महत्वपूर्ण है,तो थर्मल समाधान के साथ घनत्व संतुलन एक महत्वपूर्ण चुनौती है.
  • बिजली की खपत: जैसे-जैसे क्षमता बढ़ती है, बिजली की आवश्यकताएं भी बढ़ सकती हैं।एस ड्राइव जो डेटा सेंटर रैक के लिए स्वीकार्य शक्ति और शीतलन सीमाओं के भीतर रहते हुए उच्च क्षमता का समर्थन कर सकता है जटिल हो सकता है.
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जबकि E3.S ड्राइव अपनी क्षमता और पतली बॉडी के लिए बाहर खड़ा है, Micron एक E1.L और U.2 ड्राइव प्रदान करता है। ये फॉर्म कारक Micron के पता करने योग्य बाजार का काफी विस्तार करते हैं,यू के साथ अधिक पारंपरिक उद्यम सर्वर की सेवा.2 बे और हाइपरस्केलर E1.L के साथ। सभी ड्राइव में एक ऊर्ध्वाधर एकीकृत डिजाइन है, जिसमें माइक्रोन DRAM, NAND, नियंत्रक और इन-हाउस फर्मवेयर स्टैक है।

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माइक्रोन 6550 आईओएन एसएसडी विनिर्देश

विशेषता विवरण
प्रौद्योगिकी Micron G8 TLC NAND
रूप कारक E3.S-1T (7.5mm), U.2 (15mm), E1.L (9.5mm)
क्षमताएं 30.72 टीबी ️ 61.44 टीबी (सभी एससीयू के लिए समान प्रदर्शन विनिर्देश)
128K अनुक्रमिक रीड्स, QD128 12,000 एमबी/सेक
128K अनुच्छेद लिखता है, QD128 5,000 एमबी/सेक
4K यादृच्छिक रीड्स, QD512 1,600,000 आईओपीएस
4K यादृच्छिक लिखता है, QD128 70,000 आईओपीएस
धीरज (पांच साल की गारंटी के लिए)
  • 1 SDWPD (100% 128KB अनुक्रमिक लिखता है)
  • 1 RDWPD (100% 16KB यादृच्छिक लेखन)
  • 0.25 RDWPD (100% 4KB यादृच्छिक लेखन)
शक्ति
  • 20W परफॉरमेंस के स्तर को प्राप्त करता है
  • 25W से अधिक प्रदर्शन स्तर
  • ≤5W निष्क्रिय
विश्वसनीयता

 

(UBER = अपरिवर्तनीय बिट त्रुटि दर)
  • शक्ति हानि संरक्षण
  • 2.5M घंटे MTTF
  • <1 सेक्टर प्रति 10^17 बिट्स पढ़ा UBER
  • 3 महीने @ 40C डेटा भंडारण (ईओएल पर पावर ऑफ)
विशेषताएं
  • ओसीपी 2.5, NVMe-MI 1.2c.
  • 20% कम निष्क्रिय शक्ति के लिए L1-ASPM (4W बनाम 5W)
  • एसआरआईएस, एसजीएल, पीसीआईएल लेन रिवर्स, एनवीएमई पावर स्टेटस।
  • एसपीडीएम 1.2, SHA-512, SED, FIPS, TAA और अधिक
वारंटी 5 वर्ष

माइक्रोन 6550 आईओएन सिंथेटिक प्रदर्शन सत्यापन

StorageReview Lab में Micron 6550 ION के साथ, हमने ड्राइव के U.2 संस्करण को एक Dell PowerEdge R760 परीक्षण प्लेटफॉर्म के अंदर चरणों से गुजरते हुए रखा। Micron ने अपने प्रयोगशाला में मापे गए आंकड़े शामिल किए,जो हम अपने परीक्षण में सत्यापित कर सकते हैं, QLC आधारित Solidigm P5336 61.44TB SSD के साथ, इस क्षमता बिंदु पर उपलब्ध एकमात्र व्यापक रूप से शिपिंग SSD।

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प्रदर्शन सत्यापन के साथ-साथ हमने Micron 6550 ION पर किया, हमने Micron 6550 ION द्वारा खपत की जाने वाली शक्ति को सीमित करने के लिए बिजली की स्थिति का परीक्षण किया।जबकि सभी एनवीएमई उपकरणों को निर्बाध रूप से संचालित किया जा सकता है (ऊर्जा की खपत 25W तक), एनवीएमई एसएसडी बिजली की खपत को बचाने के लिए पीक उपयोग को कम करने का समर्थन करते हैं। बिजली की खपत को कम करने से कुछ ड्राइव के लिए प्रदर्शन पर महत्वपूर्ण प्रभाव पड़ सकता है, लेकिन माइक्रॉन 6550 आईओएन कम बिजली की खपत के लिए अनुकूलित है,कम बिजली लिफाफे के भीतर डेटा सेंटर प्रदर्शन प्रदान करना.

हम अपने प्रदर्शन परीक्षण शुरू करने से पहले, हम PS1 मोड में Micron 6550 ION रखा और PS0 मोड में या बिना प्रतिबंध के Solidigm P5335 छोड़ दिया। Micron 6550 ION आठ शक्ति राज्यों (PS0 के लिए PS7) का समर्थन करता है,जो 25W अधिकतम से नीचे के निचले छोर पर केवल 10W तक होते हैं. PS1 इस SSD पर अधिकतम शक्ति की खपत को 20W पर सेट करता है। तुलना के लिए, Solidigm P5336 तीन शक्ति राज्यों (PS0 से PS2) का समर्थन करता है, जो 5-10W की वृद्धि में 25W से 10W तक होता है।

इस प्रदर्शन तुलना के लिए प्रत्येक एसएसडी को 128K अनुक्रमिक पूर्व शर्त कार्यभार के माध्यम से रखा गया था, जहां ड्राइव दो बार भरे गए थे। जब पूर्व शर्त समाप्त हुई,ड्राइव 128K अनुक्रमिक पढ़ने और लिखने के प्रदर्शन के लिए परीक्षण किया गया था जबकि पूर्व शर्त की स्थिति मेंइसके बाद कार्यभार को दो ड्राइव भरने के लिए 16K यादृच्छिक पूर्व शर्त पर स्विच किया गया और शेष 16K पढ़ने और लिखने के परीक्षण पूरे किए गए।

ब्लॉक का आकार ऑपरेशन पावर स्टेट पीएस1 पर माइक्रोन औसत पावर ड्रॉ एफआईओ कार्यभार थ्रेड/क्यू अपेक्षित माइक्रोन 6550 आईओएन प्रदर्शन मापा गया माइक्रोन 6550 आईओएन प्रदर्शन मापा हुआ सॉलिडिगम P5336 प्रदर्शन
16KB यादृच्छिक रूप से पढ़ें 17.9 W 8T/256Q > 700k आईओपी
> 11.2 GB/s		 11.6GB/s
707k आईओपी		 7.4GB/s
454k आईओपी
16KB यादृच्छिक लिखें 17.5 W 2T/1Q > 70k आईओपी
> 1.1 GB/s		 1.4GB/s
85.4k आईओपी		 850MB/s
51.9k आईओपी
128KB अनुक्रमिक रीड 17.5 W 1T/64Q > 12 GB/s 12.7GB/s 7.5GB/s
128KB अनुक्रमिक लिखना 17.5 W 1T/16Q > 5 GB/s 8.2GB/s 3.2GB/s

हमारी प्रयोगशाला में माइक्रोन 6550 आईओएन ने उद्धृत माइक्रोन 6550 आईओएन प्रदर्शन के साथ संरेखण बनाए रखा और कुछ मामलों में, माइक्रोन की विशिष्टता शीट से अधिक।

हमारे 16K यादृच्छिक पढ़ने के कार्यभार में, Micron 6550 ION 11.6GB/s बनाए रखा, Solidigm P5536 से 7.4GB/s की तुलना में।Micron 6550 ION 1 की पेशकश कर सकता है.4GB/s, P5336 से 850MB/s से अधिक। 128K अनुक्रमिक रीड वर्कलोड तक बढ़ते हुए, माइक्रोन 6550 ION ने 12.7GB/s को मापा, जबकि सोलिडिगम P5336 से 7.5GB/s।128K अनुक्रमिक लेखन पर स्विच करना, माइक्रोन 6550 आईओएन ने 8.2 जीबी/सेकंड को मापा जबकि सोलिडिगम पी5336 ने 3.2 जीबी/सेकंड को मापा।

इसकी तुलना सॉलिडिगम पी5336 से करते हुए, हमने कई क्षेत्रों में ध्यान दिया जहां Micron 6550 ION पर नए Gen5 इंटरफ़ेस ने P5336 में Gen4 इंटरफ़ेस पर उत्कृष्टता प्राप्त की, जो अपेक्षित है।Gen4 बनाम Gen4 के बीच का अंतर. Gen5 ड्राइव से संबंधित है कि प्रत्येक ड्राइव कितने बैंडविड्थ को तार के माध्यम से धकेल सकता है। कनेक्टिविटी के चार लेन के साथ Gen4 PCIe इंटरफ़ेस लगभग 7GB / s सक्षम है,जबकि नए Gen5 PCI इंटरफ़ेस 14GB/s के साथ दोगुना हैमाइक्रोन का टीएलसी एनएएनडी का उपयोग क्यूएलसी आधारित प्रतिस्पर्धियों के मुकाबले एक और डिजाइन लाभ देता है।

माइक्रोन 6550 आईओएन एआई कार्यभार प्रदर्शन

एआई कार्यभार ने उच्च प्रदर्शन वाले सर्वर और बेहतर ऊर्जा दक्षता की मांग करके प्रशासकों पर दबाव डाला है।माइक्रोन ने चार अलग-अलग कार्यभारों का उपयोग करके अपनी क्षमताओं को प्रदर्शित करने के लिए सोलिडिगम पी5336 के खिलाफ 6550 आईओएन की स्थिति बनाई: NVIDIA(R) मैग्नम IO(TM), Unet3D प्रशिक्षण और कैप्चर, और एआई मॉडल चेकपॉइंटिंग।GPUDirect Storage (GDS) परीक्षण CPU मेमोरी को बायपास करके और डेटा आंदोलन ओवरहेड और विलंबता को कम करके स्टोरेज और GPU के बीच प्रत्यक्ष डेटा हस्तांतरण को सक्षम करते हैं।

के बारे में नवीनतम कंपनी का मामला माइक्रॉन 6550 आईओएन एसएसडीः एक ड्राइव में जेन 5 प्रदर्शन, ऊर्जा दक्षता और उच्च क्षमता 5के बारे में नवीनतम कंपनी का मामला माइक्रॉन 6550 आईओएन एसएसडीः एक ड्राइव में जेन 5 प्रदर्शन, ऊर्जा दक्षता और उच्च क्षमता 6के बारे में नवीनतम कंपनी का मामला माइक्रॉन 6550 आईओएन एसएसडीः एक ड्राइव में जेन 5 प्रदर्शन, ऊर्जा दक्षता और उच्च क्षमता 7

निष्कर्ष

Gen5 एंटरप्राइज SSDs के लिए संक्रमण ने सर्वर डिजाइनरों को भंडारण समाधानों के मामले में पहले से कहीं अधिक लचीलापन प्रदान किया है।एस फॉर्म फैक्टर ने चरम ड्राइव घनत्व के लिए नई संभावनाओं को अनलॉक किया है: मानक 1U सर्वर आमतौर पर समर्थित 8-10 U.2 ड्राइव के विपरीत 20 E3.S SSD को समायोजित कर सकते हैं। 2U सर्वर समान लाभों का लाभ उठाते हैं, जो 32 (या अधिक) E3 तक आवास के लिए सक्षम हैं।एसएसडी की तुलना में 24 में एक यूविशेष रूप से, कुछ सर्वर विक्रेताओं ने E3.S को Gen5 स्टोरेज के लिए अपनाया है, जिससे E3.S SSD पारिस्थितिकी तंत्र का विस्तार महत्वपूर्ण हो गया है।
 
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हमारे प्रारंभिक प्रदर्शन परीक्षण में, हमने 6550 आईओएन के लिए माइक्रोन द्वारा किए गए प्रदर्शन दावों को सत्यापित करने के लिए निर्धारित किया। 6550 आईओएन के लॉन्च का एक प्रमुख हाइलाइट इसकी शक्ति-से-प्रदर्शन अनुपात है।हम PS1 (अधिकतम 20W) के लिए Micron 6550 ION सीमित और इसे 16K यादृच्छिक और 128K अनुक्रमिक कार्यभार के माध्यम से चलाया128K अनुक्रमिक रीड टेस्ट में, हमने 6550 ION पर 12.7GB/s रिकॉर्ड किया, जबकि Solidigm P5336 पर 7.5GB/s।Micron ड्राइव में TLC NAND भी महत्वपूर्ण लेखन प्रदर्शन लाभ प्रदान करता है, जिसे हमने अपने 16K यादृच्छिक लेखन कार्यभार में देखाः माइक्रोन 6550 ION ने 84.5k IOPS प्राप्त किया, जबकि P5336 ने केवल 51.9k IOPS का प्रबंधन किया।
 
इस परीक्षण के लिए, हमने Micron 6550 ION की तुलना केवल 61.44TB SSD के साथ की है जो वर्तमान में व्यापक रूप से शिपिंग कर रहा है ′′Solidigm P5336। यह एक सेब सेब की तुलना नहीं है, लेकिन यही बात है।Micron की इंजीनियरिंग टीम ने पता लगाया है कि कैसे एक 7 में NAND की एक प्रभावशाली मात्रा पैक करने के लिए.5 मिमी ड्राइव कैबिनेट, सभी ऊर्जा दक्षता, प्रदर्शन, और लागत प्रभावीता को प्राथमिकता देते हुए।यह प्रारंभिक प्रदर्शन पूर्वावलोकन हमें विभिन्न अनुप्रयोगों में उनके प्रदर्शन की स्पष्ट समझ प्राप्त करने के लिए इन ड्राइव का परीक्षण करने के लिए अधिक समय बिताने के लिए उत्सुक है.
 
बीजिंग कियानक्सिंग जीएटोंग टेक्नोलॉजी कं, लिमिटेड
सैंडी यांग/वैश्विक रणनीति निदेशक
व्हाट्सएप / वीचैटः +86 13426366826
ईमेलः yangyd@qianxingdata.com
वेबसाइटः www.qianxingdata.com/www.storagesserver.com

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