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माइक्रोन ने उद्योग की सबसे बड़ी क्षमता वाली वाणिज्यिक एसएसडी, 245.76 टीबी 6600 आईओएन लॉन्च की है।5 मई से शुरू होने वाले आधिकारिक बड़े पैमाने पर शिपमेंट के साथ अपनी पीसीआईई जेन 5 क्यूएलसी एसएसडी लाइनअप को एक चौथाई-पेटाबाइट क्षमता तक विस्तारित करना, 2026. 6600 ION परिवार के प्रमुख मॉडल के रूप में, यह ड्राइव Micron की नई नौवीं पीढ़ी के G9 QLC NAND को अपनाता है, जो U.2 15 मिमी और E3.L 9.5 मिमी फॉर्म फैक्टर्स में उपलब्ध है। इसके छोटे भाई-बहन (30.72TB, 61.44TB, 122.88TB) भी लचीले डेटा सेंटर तैनाती के लिए E3.S स्लॉट का समर्थन करते हैं।
छह-प्लेन आर्किटेक्चर के साथ, Micron G9 QLC 3.6 GB/s NAND I/O गति तक प्रदान करता है, जो वर्तमान में बाजार पर एंटरप्राइज़ SSD के लिए सबसे तेज़ बड़े पैमाने पर उत्पादित QLC NAND के रूप में रैंक करता है।पढ़ने के लिए अनुकूलित परिदृश्य, ड्राइव हाइपरस्केल ऑब्जेक्ट स्टोरेज, एआई डेटा झील, बिग डेटा एनालिटिक्स और कंटेंट रिपॉजिटरी को लक्षित करता है,ऐसे परिदृश्य जहां रैक भंडारण घनत्व और बिजली दक्षता को छोटे ब्लॉक लेखन प्रदर्शन की तुलना में अधिक प्राथमिकता है.
माइक्रोन के रैक-स्तर पर तैनाती सिमुलेशन से पारंपरिक उच्च क्षमता वाले एचडीडी की तुलना में भारी फायदे दिखाई देते हैं। 245.76TB 6600 आईओएन एसएसडी से लैस 720-ड्राइव ई 3.एल रैक 176.9 पीबी कच्ची क्षमता प्रदान करता है,जबकि समान संख्या में 44TB की HDD केवल 31 प्रदान करता है.7PB. बिजली दक्षता के मामले में, एसएसडी 8.2TB प्रति वाट तक पहुंचने के लिए 30W का पीक खपत करता है, जो 44TB एंटरप्राइज एचडीडी (10W अनुमानित बिजली की खपत) के 4.4TB प्रति वाट का लगभग दोगुना है।10W एचडीडी पावर आंकड़ा एक उचित उद्योग अनुमान है, क्योंकि सीगेट ने अपने 44TB मोजाइक 4+ HDD के लिए पूर्ण शक्ति विनिर्देश जारी नहीं किए हैं।
यह दक्षता अंतर डेटा सेंटर बिजली की खपत में वृद्धि के बीच बहुत मायने रखता है। आईईए का अनुमान है कि वैश्विक डेटा सेंटर बिजली का उपयोग 2024 में 415 टीडब्ल्यूएच से 2030 तक बढ़कर 945 टीडब्ल्यूएच हो जाएगा,मुख्य रूप से एआई बुनियादी ढांचे द्वारा संचालितसंयुक्त राज्य अमेरिका में, डेटा केंद्र 2030 तक घरेलू बिजली की मांग में लगभग आधे से अधिक वृद्धि के लिए जिम्मेदार होंगे। बड़े क्लाउड ऑपरेटरों के लिए, भौतिक स्थान,शीतलन क्षमता और बिजली की खपत बुनियादी ढांचे की मुख्य बाधाओं के बजाय द्वितीयक विचार बन गए हैं.
घनत्व-प्रथम QLC SSD के रूप में, 245.76TB 6600 ION में स्पष्ट प्रदर्शन व्यापार-बंद हैं। यह 13.7 GB/s अनुक्रमिक रीड और 1.78M यादृच्छिक रीड IOPS के साथ शीर्ष स्तरीय रीड प्रदर्शन प्रदान करता है,जबकि लेखन प्रदर्शन जानबूझकर प्रतिबंधित है: 3.0 GB/s अनुक्रमिक लेखन और 4K और 16K दोनों यादृच्छिक लेखन के लिए 42,000 IOPS। 4K अप्रत्यक्ष इकाई (IU) के साथ 30.72TB संस्करण के विपरीत, यह प्रमुख मॉडल 16K IU का उपयोग करता है,जिसके परिणामस्वरूप 16K से कम यादृच्छिक लेखन कार्यभार के लिए धीमा सहनशीलता: 0.075 4K RDWPD और 0.3 16K RDWPD।
एसएसडी ओसीपी 2 का समर्थन करते हुए एंटरप्राइज-ग्रेड विश्वसनीयता और सुरक्षा सुविधाओं को कवर करता है।6, NVMe 2.0d, NVMe-MI 1.2d और SPDM 1.2 प्रोटोकॉल। यह TAA अनुपालन और FIPS 140-3 L2 प्रमाणीकरण क्षमता के साथ CNSA 2.0 दोहरी हस्ताक्षर फर्मवेयर सत्यापन और SED एन्क्रिप्शन विकल्पों को एकीकृत करता है।2 के लिए रेटेड50 डिग्री सेल्सियस पर.5 मिलियन घंटे एमटीटीएफ, यह घने उद्यम भंडारण रैक के लिए 24/7 निरंतर संचालन आवश्यकताओं को पूरा करता है।
माइक्रोन 6600 ION 245.76TB विनिर्देश
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विनिर्देश
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माइक्रोन 6600 ION 245.76TB
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प्लेटफार्म का अवलोकन
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क्षमता
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245.76 टीबी
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रूप कारक
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यू.2 (15 मिमी), ई3.एल
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इंटरफेस
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PCIe Gen5 x4 NVMe (v2.0b)
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एनएंड फ्लैश
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माइक्रोन जी9 क्यूएलसी एनएंड
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प्रदर्शन
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अनुक्रमिक रीड
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13,700 एमबी/सेकंड
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अनुक्रमिक लिखना
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3,000 एमबी/सेक
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यादृच्छिक रूप से पढ़ें
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1,780,000 आईओपीएस
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यादृच्छिक लिखना (4K/16K)
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42,000 आईओपीएस
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विशिष्ट पढ़ने/लिखने की विलंबता
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100μs / 20μs (QD1)
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शक्ति और धीरज
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अधिकतम / निष्क्रिय शक्ति
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≤30W / ≤5W
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धीरज
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1.0 एसडीडब्ल्यूपीडी; 0.3 आरडीडब्ल्यूपीडी (16K); 0.075 आरडीडब्ल्यूपीडी (4K)
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एमटीटीएफ
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2.5 मिलियन उपकरण घंटे
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उबर
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<1 सेक्टर प्रति 1017 बिट्स पढ़ा
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विशेषताएं और सुरक्षा
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ओसीपी 2.6, NVMe 2.0d, FIPS 140-3 L2 प्रमाणित, CNSA 2.0, एसपीडीएम 1.2, एसईडी समर्थन
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परीक्षण वातावरण और तुलना ड्राइव
सभी बेंचमार्क परीक्षण उबंटू 22 के साथ एक डेल पावरएज आर 760 सर्वर पर चलाया गया।04.2 एलटीएस, दोहरी इंटेल ज़ेन गोल्ड 6430 सीपीयू, 16 × 64 जीबी डीडीआर 5 मेमोरी और एक सीरियल केबल्स जेन 5 जेबीओएफ विस्तार कैबिनेट से लैस है। प्रतिस्पर्धी ड्राइव में सोलिडिगम पी 5336, माइक्रॉन 6550 आईओएन,DapuStor J5060 और R6060, जो पीसीआईई जेन 4 और जेन 5 एंटरप्राइज स्टोरेज उत्पादों दोनों को कवर करता है।
एफआईओ सिंथेटिक बेंचमार्क परिणाम
सभी ड्राइवों को स्थिर-राज्य एफआईओ परीक्षण से पहले एकीकृत पूर्व-सर्त से गुजरना पड़ा। 245TB एसएसडी की अल्ट्रा-बड़ी क्षमता को देखते हुए, लंबे समय तक पूर्ण ड्राइव भरने के समय को कम करने के लिए स्प्रैंडम पूर्व-सर्त को अपनाया गया था.मुख्य परीक्षण परिणाम नीचे संक्षेप में दिए गए हैंः
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128K अनुक्रमिक लिखना: 2,838.0MB/s, 704.0μs के मध्यम लेखन विलंब के साथ परीक्षण नमूनों के बीच मध्य स्थान पर, इसके रीड-ऑप्टिमाइज्ड डिजाइन की पुष्टि करता है
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128K अनुक्रमिक रीड: 12,729.8MB/s 628.0μs विलंबता के साथ, कुल मिलाकर दूसरे स्थान पर है और अधिकांश Gen4 और Gen5 प्रतियोगियों से बेहतर प्रदर्शन करता है
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64K यादृच्छिक कार्यभार: 2,999.6MB/s यादृच्छिक लेखन थ्रूपुट और अल्ट्रा-लो 83.0μs लेखन विलंबता;946स्थिर विलंबता प्रदर्शन के साथ.5MB/s यादृच्छिक रीड थ्रूपुट
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16K और 4K यादृच्छिक कार्यभार: 808K 16K यादृच्छिक रीड IOPS और 1.75M 4K यादृच्छिक रीड IOPS उद्योग-अग्रणी छोटे-ब्लॉक रीड प्रदर्शन प्रदान करते हैं; यादृच्छिक लेखन प्रदर्शन सहकर्मी उच्च क्षमता वाले QLC SSD के साथ प्रतिस्पर्धी रहता है
जीपीयू प्रत्यक्ष भंडारण (जीडीएस) परीक्षण
एनवीडिया जीडीएस सीधी जीपीयू से एसएसडी डेटा ट्रांसमिशन को सीपीयू फॉरवर्डिंग के बिना सक्षम करता है, जो आधुनिक एआई प्रशिक्षण वर्कलोड के लिए महत्वपूर्ण है। जीडीएसआईओ परीक्षणों में,6600 आईओएन 16K और 128K अनुक्रमिक रीड थ्रूपुट में प्रमुख लाभ दिखाता हैइसके 1M बड़े ब्लॉक पढ़ने का प्रदर्शन भी शीर्ष स्तर पर बना हुआ है, जो परीक्षण समूह में सर्वश्रेष्ठ ड्राइव से मेल खाता है।
अनुक्रमिक लेखन कार्यभार के लिए, एसएसडी छोटे 16K ब्लॉक पर अच्छा प्रदर्शन करता है लेकिन ब्लॉक आकार और समवर्ती वृद्धि के साथ धीरे-धीरे प्रतियोगियों से पीछे रह जाता है।इसके लेखन थ्रूपुट में गिरावट आती है और विलंबता विशेष रूप से 1M बड़े ब्लॉक भारी लेखन के तहत बढ़ जाती है, QLC डिजाइन विशेषताओं के अनुरूप स्पष्ट लेखन-साइड सीमाओं को प्रदर्शित करता है।
डीएलआईओ एआई चेकपॉइंटिंग बेंचमार्क
हमने डीएलआईओ 2.0 बेंचमार्क को अपनाया और वास्तविक दुनिया के एआई चेकपॉइंट प्रदर्शन का परीक्षण करने के लिए एलएलएएमए 3.1 405 बी बड़े मॉडल प्रशिक्षण का अनुकरण किया।245TB एसएसडी प्रारंभिक चेकपॉइंट राउंड में स्थिर प्रदर्शन प्रदान करता है लेकिन निरंतर लेखन के बाद प्रदर्शन में स्पष्ट गिरावट का सामना करता है: इसका औसत चेकपॉइंट समय पहले पास से दूसरे और तीसरे पास तक तेजी से बढ़ जाता है, बाद के राउंड में सभी परीक्षण किए गए ड्राइवों में अंतिम स्थान पर रहता है।
फिर भी, इसकी अति-बड़ी क्षमता 390 पूर्ण मॉडल चेकपॉइंट तक का समर्थन करती है, जो कि सभी छोटी क्षमता वाले प्रतिस्पर्धी ड्राइव से कहीं अधिक है,लंबे समय तक चलने वाले बड़े एआई मॉडल प्रशिक्षण कार्यों के लिए अद्वितीय मूल्य लाना.
निष्कर्ष
Micron 6600 ION 245.76TB एक विशेष रूप से निर्मित उच्च घनत्व QLC SSD है जो सार्वभौमिक लेखन प्रदर्शन के बजाय चरम भंडारण क्षमता और बिजली दक्षता पर केंद्रित है।यह वर्ग के अग्रणी अनुक्रमिक और यादृच्छिक पढ़ने प्रदर्शन प्रदान करता है, उत्कृष्ट जीडीएस रीड एक्सेलेरेशन, और पारंपरिक एंटरप्राइज एचडीडी की तुलना में रैक क्षमता और बिजली दक्षता में भारी फायदे।
इसकी कमजोरियां उच्च क्षमता वाले क्यूएलसी भंडारण के लिए अनुमानित हैंः सीमित लेखन धीरज, बड़े ब्लॉक और उच्च समवर्ती कार्यभार के तहत कमजोर लेखन प्रदर्शन,और निरंतर एआई चेकपॉइंट लेखन के दौरान प्रदर्शन में स्पष्ट कमी16K अप्रत्यक्ष इकाई भी इसे भारी छोटे ब्लॉक यादृच्छिक लेखन परिदृश्यों के लिए अनुपयुक्त बनाती है।
कुल मिलाकर, यह फ्लैगशिप Gen5 QLC SSD बिजली बजट और भौतिक रैक स्थान द्वारा सीमित डेटा केंद्रों के लिए एक आदर्श अपग्रेड समाधान है। यह पढ़ने-भारी AI डेटा झीलों के लिए पूरी तरह से फिट बैठता है,ऑब्जेक्ट स्टोरेज और कोल्ड डेटा रिपॉजिटरी, लेकिन लगातार उच्च लेखन थ्रूपुट की आवश्यकता वाले लेखन-गहन कार्यभार के लिए इससे बचना चाहिए।
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